Буквально на днях компания Qualcomm провела специальное мероприятие, где анонсировала новую флагманскую SoC для мобильных устройств. Ожидалось, что чип будет называться Snapdragon 830, но изменений, видимо, оказалось так много, что инженеры решили дать ему имя Snapdragon 835.

Дело в том, что конкретные характеристики платформы во время презентации нам так никто и не назвал. Известно лишь то, что чип производится компанией Samsung по 10-нм техпроцессу. Предыдущее поколение, к слову, производилось по 14-нм техпроцессу. Использование FinFET в Snapdragon 835 должно увеличить производительность процессора, а также снизить энергопотребление.

А вот о быстрой зарядке Quick Charge 4.0 (Snapdragon 835 – первая платформа, которая получит ее поддержку) представители Qualcomm рассказали все. Если брать среднестатистический смартфон (в Qualcomm считают, что это аппарат с аккумулятором на 2750 мАч), то пяти минут зарядки при помощи Quick Charge 4.0 должно хватить на пять часов использования устройства. А за пятнадцать минут телефон сможет зарядиться на 50 процентов.

Что касается безопасности, то технология Quick Charge 4.0 оснащена не только четырехуровневой защитой от перегрева устройства, но и умеет определять тип подключенного кабеля и его качество. Также новая быстрая зарядка совместима абсолютно со всеми стандартами USB Type-C и USB Power Delivery (USB-PD).

Более подробно о самом Snapdragon 835 нам пообещали рассказать в первых числах января (не исключено, что случится это на выставке CES в Лас-Вегасе). К слову, появления смартфонов на новом чипе тоже ждать долго не придется, представители Qualcomm сказали, что первые устройства со Snpadragon 835 поступят в продажу уже в первой половине 2017 года.